檢索結果：共12筆資料 檢索策略： "sputter".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="周賢鎧"
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本篇論文研究以Al作為上下電極，使用ZrO2以及NiO作為主要之中間層，製備 電阻式記憶體元件，並透過調節ZrO2與NiO之比例以及鍍膜時氧氣之通量來改善元 件之性質。 當元件之介電層使用ZrO2時…
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本論文研究的內容主要分成三個部分。第一部份是在矽基材上製備所需的金奈米顆粒分佈，本實驗是先利用鍍金機在基材上鍍上一層金的薄膜後，再藉由控制退火的溫度、時間和金薄膜的厚度，來完成金奈米顆粒的製備。 …
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本研究以Al與Al(Cu 5wt%)靶材濺鍍沉積下電極層，以RF與MW電漿氧化的方式成長電阻層，上電極皆以Al濺鍍，製成Al/AlOx/Al、Al/AlOx+CuOx/Al(Cu 5wt%)三層結構…
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本論文研究主要分為兩大部分，第一部份以Ni-YSZ碟型基材作為陽極支撐(anode-supported)，第二部份以YSZ碟型基材作為電解質支撐(electrolyte -supported)，利用…
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本研究利用反應式磁控濺鍍(Magnetron sputtering)系統配合高真空下的熱退火製程，成功製備出含有不同氮、氧濃度之氮氧化矽(SiOxNy)單層薄膜以及氮氧化矽/矽(SiON/Si)之多…
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本論文使用磁控式濺鍍沉積氧化鈰(CeO2)及摻雜釓與銀[(Gd2O3)x-(CeO2)1-x、Ag- CeO2]之氧化鈰固態薄膜電解質在氧化鋁基材上，後藉由熱處理後再濺鍍白金電極製備成電阻式氧氣感測…
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本論文以濺鍍及共濺鍍沉積的方式製作Cu/Cu-SiO2/TaN，TaN/Cu-SiO2/TaN三層結構，經由電性量測結果可知上述兩種元件皆有電阻切換的性質。電極材料皆為TaN的元件在連續操作100次…
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本論文研究以Cu-CeO2-YSZ與Ni-CeO2-YSZ兩種不同材料系統作為固態氧化物燃料電池的陽極材料，分別利用磁控式共濺鍍系統製備CuO-CeO2-YSZ薄膜與NiO-CeO2-YSZ薄膜，再…
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本研究利用磁控式共濺鍍系統沉積NiO-YSZ薄膜，並利用不同還原條件以形成具有奈米孔隙之Ni-YSZ陽極結構，用於固態氧化物燃料電池用來增加三相介面比例，降低反應極化電阻。 利用不同Ar與O2比…
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本研究以積體電路相匹配之Al、TaN作為上、下電極，以取代昂貴之白金(Pt)作為電極，並採用微波電漿氧化或反應式濺鍍製備中間電阻層TaOxNy，製成Al/TaOxNy/TaN、TaN/TaOxNy/…